פוטודיודה 1064nm Si PIN
תכונות
- מבנה מואר בחזית
- זרם כהה נמוך
- תגובה גבוהה
- אמינות גבוהה
יישומים
- תקשורת, חישה וריחוק סיבים אופטיים
- זיהוי אופטי מ-UV ל-NIR
- זיהוי דופק אופטי מהיר
- מערכות בקרה לתעשייה
פרמטר פוטו-אלקטרי（@Ta=25℃）
| פריט # | קטגוריית החבילות | קוטר של משטח רגיש לאור (מ"מ) | טווח תגובה ספקטרלי (ננומטר) |
אורך גל שיא התגובה (ננומטר) | תגובתיות (A/W) λ=1064 ננומטר
| זמן עלייה λ=1064 ננומטר VR=40V RL=50Ω(ns) | זרם אפל VR=40V (nA) | קיבול צומת VR=40V f=1MHz (pF) | מתח התמוטטות （V）
|
| GT102Ф0.2 | קואקסיאלי סוג II,5501,TO-46 סוג תקע | Ф0.2 |
4 ~ 1100 |
980
| 0.3 | 10 | 0.5 | 0.5 | 100 |
| GT102Ф0.5 | Ф0.5 | 10 | 1.0 | 0.8 | |||||
| GT102Ф1 | Ф1.0 | 12 | 2.0 | 2.0 | |||||
| GT102Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 12 | 3.0 | 5.0 | ||||
| GT102Ф4 | TO-8 | Ф4.0 | 20 | 5.0 | 12.0 | ||||
| GD3310Y | TO-8 | Ф8.0 | 30 | 15 | 50 | ||||
| GD3217Y | TO-20 | Ф10.0 | 50 | 20 | 70 |
