מפעל DETECTOR, ספקים - סין יצרני DETECTOR

355nm APD

זוהי פוטודיודת מפולת Si עם משטח גדול רגיש לאור ו-UV משופר.הוא מספק רגישות גבוהה החל מ-UV ועד NIR.

חֲקִירָה פרט
800 ננומטר APD

זוהי פוטודיודת מפולת Si המספקת רגישות גבוהה החל מ-UV ועד NIR.שיא אורך הגל של התגובה הוא 800 ננומטר.

חֲקִירָה פרט
905nm APD

זוהי פוטודיודת מפולת Si המספקת רגישות גבוהה החל מ-UV ועד NIR.שיא אורך הגל של התגובה הוא 905 ננומטר.

חֲקִירָה פרט
1064nm APD

זוהי פוטודיודת מפולת Si המספקת רגישות גבוהה החל מ-UV ועד NIR.שיא אורך הגל של התגובה הוא 1064 ננומטר.תגובתיות: 36 A/W ב-1064 ננומטר.

חֲקִירָה פרט
מודולי APD 1064nm

זהו מודול פוטודיודת מפולת Si משופר עם מעגל הגברה קדם המאפשר להגביר אות זרם חלש ולהמיר אותו לאות מתח כדי להשיג את תהליך ההמרה של הגברת אות פוטון-פוטואלקטרי.

חֲקִירָה פרט
מודולי InGaAs APD

זהו מודול פוטו-דיודות מפולת אינדיום גליום ארסניד עם מעגל קדם-הגברה המאפשר להגביר את אות זרם חלש ולהמיר אותו לאות מתח כדי להשיג את תהליך ההמרה של הגברת אות פוטון-פוטואלקטרי.

חֲקִירָה פרט
APD בארבעה רבעים

הוא מורכב מארבע יחידות זהות של פוטודיודת מפולת Si המספקת רגישות גבוהה החל מ-UV ל-NIR.שיא אורך הגל של התגובה הוא 980 ננומטר.תגובתיות: 40 A/W ב-1064 ננומטר.

חֲקִירָה פרט
מודולי APD בארבעה רבעים

הוא מורכב מארבע יחידות זהות של פוטודיודת מפולת Si עם מעגל קדם-הגברה המאפשר להגביר את אות הזרם החלש ולהמיר אותו לאות מתח כדי להשיג את תהליך ההמרה של הגברת אות פוטון-פוטואלקטרי.

חֲקִירָה פרט
מודולים 850nm Si PIN

זהו מודול פוטודיודה 850nm Si PIN עם מעגל הגברה מראש המאפשר להגביר אות זרם חלש ולהמיר לאות מתח כדי להשיג את תהליך ההמרה של הגברת אות פוטון-פוטואלקטרי.

חֲקִירָה פרט
פוטודיודה 900nm Si PIN

זוהי פוטודיודת Si PIN שפועלת בהטיה הפוכה ומספקת רגישות גבוהה החל מ-UV ל-NIR.שיא אורך הגל של התגובה הוא 930 ננומטר.

חֲקִירָה פרט
פוטודיודה 1064nm Si PIN

זוהי פוטודיודת Si PIN שפועלת בהטיה הפוכה ומספקת רגישות גבוהה החל מ-UV ל-NIR.שיא אורך הגל של התגובה הוא 980 ננומטר.תגובתיות: 0.3A/W ב-1064 ננומטר.

חֲקִירָה פרט
מודולי Fibre Si PIN

אות אופטי מומר לאות זרם על ידי הזנת סיב אופטי.מודול ה-Si PIN כולל מעגל קדם-הגברה המאפשר להגביר את אות זרם חלש ולהמיר אותו לאות מתח כדי להשיג את תהליך ההמרה של הגברת אות פוטון-פוטואלקטרי.

חֲקִירָה פרט