סדרת מודול InGaAS-APD
| מאפיינים פוטו-אלקטריים (＠Ta＝22±3℃) | |||
| דֶגֶם | GD6510Y | GD6511Y | GD6512Y |
| טופס חבילה | TO-8 | TO-8 | TO-8 |
| קוטר משטח רגיש לאור (מ"מ) | 0.2 | 0.5 | 0.08 |
| טווח תגובה ספקטרלי (ננומטר) | 1000~1700 | 1000~1700 | 1000~1700 |
| מתח התמוטטות (V) | 30~70 | 30~70 | 30~70 |
| תגובה M=10 l=1550nm(kV/W) | 340 | 340 | 340 |
| זמן עלייה (נ) | 5 | 10 | 2.3 |
| רוחב פס (MHz) | 70 | 35 | 150 |
| הספק רעש שווה ערך (pW/√Hz) | 0.15 | 0.21 | 0.11 |
| מקדם טמפרטורת מתח עבודה T=-40℃~85℃ (V/℃) | 0.12 | 0.12 | 0.12 |
| ריכוזיות (מיקרומטר) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
| דגמים חלופיים של אותם ביצועים ברחבי העולם | C3059-1550-R2A | / | C3059-1550-R08B |
מבנה שבב מטוס קדמי
תגובה מהירה
רגישות גלאים גבוהה
טווח לייזר
לידר
אזהרת לייזר
מבנה שבב מטוס קדמי
תגובה מהירה
רגישות גלאים גבוהה
טווח לייזר
לידר
אזהרת לייזר
